重新定義精密雷射雕刻標印技術：SiMPore 的突破性解決方案

當精細的矽晶圓需要雷射雕刻標印時，挑戰重重。但 SiMPore 採用了 FOBA 的超短脈衝雷射技術，徹底改變了矽晶圓加工的方式，成功實現了更高的精確度、生產效率和產品可追溯性。

挑戰：矽晶圓雷射標印的敏感性

SiMPore 的矽晶圓厚度僅約 500 µm，是微電子元件生產中極其重要但脆弱的基板材料。
要實現無缺陷且精準的標印，必須克服以下挑戰：

低熱效應：雷射標印時避免對矽晶圓造成過多熱影響，防止破壞密集的微晶片結構。
精準定位：確保標記位置準確無誤，避免對晶圓完整性和功能性造成損害。
自動化需求：需要一套內部解決方案，代替以往外包的標印方式，提升效率並降低損壞風險。

解決方案：FOBA 的超短脈衝雷射技術

F.0100-ir 超短脈衝雷射：
使用脈衝寬度僅幾納秒的超短脈衝雷射，能夠在矽晶圓表面實現清晰的標記，而不會產生破壞性的熱效應。
效果：雷射標記不僅清晰可見，還對晶圓結構無影響。
M3000-P 平台的自動化流程：
M3000-P 提供高效的自動化工作流程，確保每片矽晶圓都能準確、安全地完成標記。
優勢：提升生產效率，減少人為錯誤，並確保整個標印過程的可靠性。

成果與價值

內部化流程，提升效率：SiMPore 將晶圓雷射雕刻標印的作業從外包改為內部操作，不僅降低了成本，還增強了生產靈活性。
高精度標印，無損矽晶圓完整性：FOBA 雷射技術的低熱影響使矽晶圓得以保持高完整性和功能性。
可追溯性強化：精確且持久的標記，為矽晶圓的生產與管理提供了全方位的可追溯性。

了解更多關於 SiMPore 如何克服晶圓矽片雷射標印挑戰，並見證 FOBA 超短脈衝雷射技術和 M3000-P 平台如何改變未來製造的案例分析!

Gentle Marking Processing Redefined

Marking delicate silicon wafers was a challenge SiMPore solved
with FOBA’s ultrashort pulse laser. Bringing the previously outsourced
process in-house improved precision, productivity, and traceability.
Discover the insights in our case study.

What can you expect?

Get insights about:

SiMPore's delicate challenges of laser marking silicon wafers.

Why the F.0100-ir ultrashort pulse laser markings are so gentle on the sensitive wafer discs.

How the M3000-P enhances automation workflows, ensuring efficiency and reliability throughout the process

The Challenges of Laser Marking Silicon Wafers
template_1-1.jpgSiMPore's silicon wafers are thin and fragile substrates essential for microelectronic devices,
requiring precise laser marking for traceability. Previously outsourced,
SiMPore aimed to establish a seamless in-house marking process while avoiding damage to the approximately 500 µm thick wafers.

The main challenge is ensuring accurate placement of markings with low heat impact to prevent
disruption of densely packed microchips.
Achieving the necessary precision is crucial for maintaining the integrity and functionality of the wafers.

#雕坊科 #晶圓雕刻 #晶圓解決方案